考虑载流子速度和耗尽层宽度随电压变化的VBIC模型

	考虑载流子速度和耗尽层宽度随电压变化的VBIC模型
	葛霁; 金智; 刘新宇; 程伟; 王显泰; 陈高鹏; 吴德馨
刊名	半导体学报
	2008
卷号	29 期号:11 页码:5，2270-2274
关键词	载流子速度耗尽层宽度集电区渡越时间 Vbic模型
ISSN号	0253-4177
英文摘要	针对VBIC（vertical bipolar inter-company）模型对HBT多电压偏置下S参数拟合不够准确的问题,考虑了GaAs基HBT集电区载流子速度和耗尽层宽度随电压的变化关系,建立了随外加电压变化的集电区渡越时间方程.将得到的渡越时间方程内嵌到VBIC模型中,改进的模型提高了GaAs基HBT多电压偏置下S参数的拟合精度,其在很宽的电压范围内均与实际测试结果符合良好.
语种	中文
公开日期	2010-05-27
内容类型	期刊论文
源URL	[http://10.10.10.126/handle/311049/1806]
专题	微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年）
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	葛霁,金智,刘新宇,等. 考虑载流子速度和耗尽层宽度随电压变化的VBIC模型[J]. 半导体学报,2008,29(11):5，2270-2274.
APA	葛霁.,金智.,刘新宇.,程伟.,王显泰.,...&吴德馨.(2008).考虑载流子速度和耗尽层宽度随电压变化的VBIC模型.半导体学报,29(11),5，2270-2274.
MLA	葛霁,et al."考虑载流子速度和耗尽层宽度随电压变化的VBIC模型".半导体学报 29.11(2008):5，2270-2274.