8～20GHz GaAs pin二极管单片单刀双掷开关

	8～20GHz GaAs pin二极管单片单刀双掷开关
	吴茹菲; 尹军舰; 刘会东; 张海英
刊名	半导体学报
	2008
卷号	29 期号:10 页码:4，1864-1867
关键词	X/ku波段单刀双掷开关 Gaas Pin二极管
ISSN号	0253-4177
英文摘要	基于中国科学院微电子研究所的GaAspin二极管工艺,设计、制作并测试了一种单片单刀双掷开关.在8～20GHz频段内,开关正向导通时的插入损耗最小值为1.5dB,输入和输出端的回波损耗大于10dB;开关关断状态的隔离度最大值为32dB.开关的支路采用串联-并联-并联的结构,其中的GaAs pin二极管基区厚为2.5μm.在1.3V的偏置电压下,正向导通的串联二极管工作电流为7mA.
语种	中文
公开日期	2010-05-27
内容类型	期刊论文
源URL	[http://10.10.10.126/handle/311049/1826]
专题	微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年）
推荐引用方式 GB/T 7714	吴茹菲,尹军舰,刘会东,等. 8～20GHz GaAs pin二极管单片单刀双掷开关[J]. 半导体学报,2008,29(10):4，1864-1867.
APA	吴茹菲,尹军舰,刘会东,&张海英.(2008).8～20GHz GaAs pin二极管单片单刀双掷开关.半导体学报,29(10),4，1864-1867.
MLA	吴茹菲,et al."8～20GHz GaAs pin二极管单片单刀双掷开关".半导体学报 29.10(2008):4，1864-1867.