国产VDMOS电离辐射环境中的敏感参数研究

	国产VDMOS电离辐射环境中的敏感参数研究
	刘刚; 蔡小五; 韩郑生; 陆江; 王立新; 夏洋
刊名	核技术
	2008
卷号	31 期号:8 页码:3，613-615
关键词	Vdmos 总剂量电离辐照功率mosfet
ISSN号	0253-3219
英文摘要	分析了国产VDMOS（Vertical Double—diffusion MOSFET）总剂量试验数据，并比较了辐照环境中不同偏置下电学参数的变化差异，发现新工艺研制的VDMOS器件辐照敏感参数为击穿电压和阈值电压。根据试验结果得到考核VDMOS辐照可靠性的有效试验方法：击穿电压抗辐照考核时应采用漏偏置，阈值电压抗辐照考核时应采用栅偏置。
语种	中文
公开日期	2010-05-27
内容类型	期刊论文
源URL	[http://10.10.10.126/handle/311049/1976]
专题	微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年）微电子研究所_硅器件与集成研发中心
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	刘刚,蔡小五,韩郑生,等. 国产VDMOS电离辐射环境中的敏感参数研究[J]. 核技术,2008,31(8):3，613-615.
APA	刘刚,蔡小五,韩郑生,陆江,王立新,&夏洋.(2008).国产VDMOS电离辐射环境中的敏感参数研究.核技术,31(8),3，613-615.
MLA	刘刚,et al."国产VDMOS电离辐射环境中的敏感参数研究".核技术 31.8(2008):3，613-615.