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| 后栅工艺中假栅的制造方法 专利 专利号: CN201110433706.3, 申请日期: 2017-03-08, 公开日期: 2013-06-26 作者: 卢一泓 ; 杨涛 ; 赵超 ; 李俊峰 ; 赵玉印![](/image/person.jpg)
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| 一种SiC肖特基二极管及其制作方法 专利 专利号: CN201310580966.2, 申请日期: 2016-08-17, 公开日期: 2014-02-12 作者: 汤益丹 ; 刘新宇 ; 许恒宇 ; 蒋浩杰 ; 赵玉印![](/image/person.jpg)
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| 一种精确控制碳化硅高温离子注入掩模陡直性的方法 专利 专利号: CN201310570937.8, 申请日期: 2016-04-20, 公开日期: 2014-02-05 作者: 白云 ; 刘新宇 ; 汤益丹 ; 许恒宇 ; 蒋浩杰![](/image/person.jpg)
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| 一种宽禁带功率器件场板的制造方法 专利 专利号: CN201310567092.7, 申请日期: 2016-03-16, 公开日期: 2014-02-26 作者: 杨谦; 刘新宇 ; 许恒宇 ; 汤益丹 ; 蒋浩杰![](/image/person.jpg)
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| 带有选择性截止层的碳化硅高温离子注入掩模的制造方法 专利 专利号: CN201310559750.8, 申请日期: 2016-03-16, 公开日期: 2014-02-12 作者: 白云 ; 刘新宇 ; 许恒宇 ; 汤益丹 ; 蒋浩杰![](/image/person.jpg)
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| Planar Bulk MOSFETs With Self-Aligned Pocket Well to Improve Short-Channel Effects and Enhance Device Performance 期刊论文 IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2015 作者: Zhao YY(赵玉印) ; He XB(贺晓彬) ; Gao JF(高建峰) ; Xu Q(徐强); Li JJ(李俊杰)![](/image/person.jpg)
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| 一种纳米线宽多晶硅栅刻蚀掩膜图形的形成方法 专利 专利号: CN200410047532.7, 申请日期: 2007-10-10, 公开日期: 2005-11-23 作者: 钱鹤; 徐秋霞; 刘明 ; 赵玉印![](/image/person.jpg)
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| 磁存储器驱动电路界面平坦化研究 期刊论文 半导体学报, 2006, 卷号: 27, 期号: 增刊, 页码: 358-360 作者:
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| 高性能栅长27纳米CMOS器件及关键工艺技术研究 成果 2005 主要完成人:
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| 一种用以改善硅衬底螺旋电感性能的局域介质增厚新技术 期刊论文 半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 5, 页码: 5,857-861 作者:
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