一种用以改善硅衬底螺旋电感性能的局域介质增厚新技术

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	一种用以改善硅衬底螺旋电感性能的局域介质增厚新技术
	杨荣; 李俊峰; 赵玉印; 柴淑敏; 韩郑生; 钱鹤
刊名	半导体学报
	2005
卷号	26 期号:5 页码:5，857-861
关键词	硅电感结构工艺品质因数自谐振频率
ISSN号	0253-4177
英文摘要	提出了一种用于提高硅基螺旋电感性能的局部介质增厚技术．这种技术通过淀积、光刻和湿法腐蚀工艺，局部增加电感下方的氧化层厚度，以降低衬底损耗和提高电感性能．所采用的结构及工艺简单、成本低廉，与CMOS工艺兼容良好．用这种技术制作的几种不同电感量的方形螺旋电感、品质因数和自谐振频率均显著提高．10，5和2nH的电感，品质因数的峰值分别提高了46．7％，49．7％和68．6％；而自谐振频率的改善更明显，分别达到了92．1％，91．0％及不低于68．1％．
语种	中文
公开日期	2010-05-26
内容类型	期刊论文
源URL	[http://10.10.10.126/handle/311049/1198]
专题	微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年）
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	杨荣,李俊峰,赵玉印,等. 一种用以改善硅衬底螺旋电感性能的局域介质增厚新技术[J]. 半导体学报,2005,26(5):5，857-861.
APA	杨荣,李俊峰,赵玉印,柴淑敏,韩郑生,&钱鹤.(2005).一种用以改善硅衬底螺旋电感性能的局域介质增厚新技术.半导体学报,26(5),5，857-861.
MLA	杨荣,et al."一种用以改善硅衬底螺旋电感性能的局域介质增厚新技术".半导体学报 26.5(2005):5，857-861.