一种纳米线宽多晶硅栅刻蚀掩膜图形的形成方法

	一种纳米线宽多晶硅栅刻蚀掩膜图形的形成方法
	钱鹤; 徐秋霞; 刘明; 赵玉印
	2007-10-10
著作权人	中国科学院微电子研究所
专利号	CN200410047532.7
国家	中国
文献子类	发明专利
英文摘要	一种纳米线宽多晶硅栅刻蚀掩膜图形的形成方法，其主要步骤如下： (1)在超薄栅介质上淀积多晶硅，然后淀积TEOS SiO2薄膜；(2)光刻栅图形；(3)胶的灰化；(4)氟化和烘烤；(5)反应离子腐蚀TEOS SiO2；(6)去胶清洗；(7)湿法化学腐蚀TEOS SiO2，达到需要线宽止。本发明可制备15- 50纳米线宽的多晶硅栅刻蚀掩膜图形。
公开日期	2005-11-23
申请日期	2004-05-21
语种	中文
内容类型	专利
源URL	[http://10.10.10.126/handle/311049/7384]
专题	微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年）
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	钱鹤,徐秋霞,刘明,等. 一种纳米线宽多晶硅栅刻蚀掩膜图形的形成方法. CN200410047532.7. 2007-10-10.