后栅工艺中假栅的制造方法

	后栅工艺中假栅的制造方法
	卢一泓; 杨涛; 赵超; 李俊峰; 赵玉印
	2017-03-08
著作权人	中国科学院微电子研究所
专利号	CN201110433706.3
国家	中国
文献子类	发明专利
英文摘要	本发明提供了一种后栅工艺中假栅的制造方法，包括以下步骤：在衬底上依次形成假栅材料层、硬掩模材料层，其中硬掩模材料层包括PSG的第一掩模层以及TEOS氧化硅的第二掩模层；采用干法和DHF湿法分别刻蚀硬掩模材料层，形成上宽下窄的硬掩模图形；以硬掩模图形为掩模，干法刻蚀假栅材料层，形成上宽下窄的假栅。依照本发明的假栅制造方法，将之前垂直的假栅制作成上宽下窄的正梯形假栅；在假栅被移除后，可形成正梯形沟槽；从而大大有利于后续高K或是金属栅材料的填充，扩大填充工艺窗口，从而提高了器件的可靠性。
公开日期	2013-06-26
申请日期	2011-12-21
语种	中文
内容类型	专利
源URL	[http://159.226.55.106/handle/172511/17807]
专题	微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	卢一泓,杨涛,赵超,等. 后栅工艺中假栅的制造方法. CN201110433706.3. 2017-03-08.