一种精确控制碳化硅高温离子注入掩模陡直性的方法

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	一种精确控制碳化硅高温离子注入掩模陡直性的方法
	白云; 刘新宇; 汤益丹; 许恒宇; 蒋浩杰; 赵玉印; 申华军; 杨谦
	2016-04-20
著作权人	中国科学院微电子研究所
专利号	CN201310570937.8
国家	中国
文献子类	发明专利
英文摘要	本发明公开了一种精确控制碳化硅高温离子注入掩模陡直性的方法，包括：清洗碳化硅外延衬底；在碳化硅外延衬底表面生长足以抵挡高温高能量离子注入的高温离子注入掩蔽层；在高温离子注入掩蔽层上生长用于控制刻蚀工艺的刻蚀阻挡层；在刻蚀阻挡层上涂敷光刻胶，采用光刻显影技术在刻蚀阻挡层表面形成选择性高温离子区域窗口；从选择性高温离子区域窗口依次对刻蚀阻挡层和高温离子注入掩蔽层进行刻蚀直至碳化硅外延衬底的表面；去除光刻胶及剩余的刻蚀阻挡层，得到侧壁光滑、陡直、可控的厚介质离子注入掩蔽层。本发明精确的对刻蚀面进行角度控制，得到侧壁光滑、陡直的厚介质离子注入掩蔽层，保证了选择性离子注入区域内的均一性良好、可控性强。
公开日期	2014-02-05
申请日期	2013-11-13
语种	中文
内容类型	专利
源URL	[http://159.226.55.106/handle/172511/16426]
专题	微电子研究所_高频高压器件与集成研发中心
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	白云,刘新宇,汤益丹,等. 一种精确控制碳化硅高温离子注入掩模陡直性的方法. CN201310570937.8. 2016-04-20.