磁存储器驱动电路界面平坦化研究

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	磁存储器驱动电路界面平坦化研究
	杜寰; 赵玉印; 韩郑生; 夏洋; 张志纯
刊名	半导体学报
	2006
卷号	27 期号:增刊页码:358-360
关键词	磁存储器平坦化表面粗糙度均方根值
ISSN号	0253-4177
产权排序	1
英文摘要	利用原子力显微镜(AFM)和扫描电镜(SEM)对磁存储器(MRAM)驱动电路与存储单元--磁性隧道结(MTJ)的连接界面的表面平坦化进行了研究.原子力显微镜照片表明:磁控溅射沉积的金属铝膜的表面由尺寸约为300nm的颗粒组成,其表面粗糙度约为几十纳米的量级,用统计平均值(均方根值root mean square,RMS)描述约为10nm;在铝膜的表面沉积一层难溶金属Ti或Ta膜以后,可很好地改善过渡层金属表面的平坦化效果.通过用化学机械平坦化设备(chemical mechanical planarization,CMP)在小压力和低转速的条件下,可使过渡层金属表面的RMS值达到小于1nm的平坦化效果.扫描电镜照片的结果也显示:利用光刻胶平坦化,然后通过调节反应离子刻蚀的条件,使刻蚀的过程中对氧化硅和光刻胶的刻蚀速率相等,去掉光刻胶,达到平坦化整个芯片表面的效果.
语种	中文
公开日期	2010-05-26
内容类型	期刊论文
源URL	[http://10.10.10.126/handle/311049/1314]
专题	微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年）
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	杜寰,赵玉印,韩郑生,等. 磁存储器驱动电路界面平坦化研究[J]. 半导体学报,2006,27(增刊):358-360.
APA	杜寰,赵玉印,韩郑生,夏洋,&张志纯.(2006).磁存储器驱动电路界面平坦化研究.半导体学报,27(增刊),358-360.
MLA	杜寰,et al."磁存储器驱动电路界面平坦化研究".半导体学报 27.增刊(2006):358-360.