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半导体研究所 [16]
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期刊论文 [10]
专利 [4]
专著 [1]
学位论文 [1]
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专题:半导体研究所
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基于MnGa/Co2MnSi双层膜的垂直易磁化隧道结设计及制备
学位论文
硕士, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
毛思玮
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浏览/下载:43/0
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提交时间:2017/05/31
分子束外延
垂直磁性隧道结
MnGa
Co2MnSi
反铁磁耦合
制作用于1.55微米通信波段硅波导光电转换器的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-03-03, 2010-08-12, 2010-10-15
作者:
韩培德
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浏览/下载:73/0
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提交时间:2010/08/12
高性能InGaAs/AlAs共振隧穿二极管的研制与器件模拟分析
期刊论文
半导体学报, 2007, 卷号: 28, 期号: 4, 页码: 563-566
作者:
张杨
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浏览/下载:130/25
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提交时间:2010/11/23
基于共振隧穿二极管的集成电路研究
期刊论文
电子器件, 2006, 卷号: 29, 期号: 3, 页码: 627-634
马龙
;
杨富华
;
王良臣
;
余洪敏
;
黄应龙
收藏
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浏览/下载:33/0
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提交时间:2010/11/23
纳米半导体技术
专著
北京:化学工业出版社, 北京, 2006
作者:
叶小玲
收藏
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浏览/下载:357/0
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提交时间:2009/09/19
RTD与PHEMT集成的几个关键工艺
期刊论文
半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 2, 页码: 390-394
王建林
;
刘忠立
;
王良臣
;
曾一平
;
杨富华
;
白云霞
收藏
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浏览/下载:128/3
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提交时间:2010/11/23
能级填充对量子阱光学性质的影响
期刊论文
物理学报, 2004, 卷号: 53, 期号: 12, 页码: 4334-4340
作者:
谭平恒
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2010/11/23
利用Γ-X混合在AlAs/GaAs异质结构实现光生电子、空穴对的持久存储
期刊论文
人工晶体学报, 2002, 卷号: 31, 期号: 4, 页码: 361-364
彭进
;
胡冰
;
胡承勇
;
卞松保
;
杨富华
;
郑厚植
收藏
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浏览/下载:130/0
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提交时间:2010/11/23
弛豫SiGe衬底上SiGe/Si Ⅱ型量子阱
期刊论文
半导体学报, 2001, 卷号: 22, 期号: 7, 页码: 875
作者:
成步文
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2010/11/23
(n)nc-Si:H/(p)c-Si异质结中载流子输运性质的研究
期刊论文
物理学报, 2000, 卷号: 49, 期号: 12, 页码: 2466
彭英才
;
徐刚毅
;
何宇亮
;
刘明
;
李月霞
收藏
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2010/11/23
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