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| 一种激光加工晶圆的方法及装置 专利 专利号: CN201710574908.7, 申请日期: 2018-10-09, 公开日期: 2017-09-29 作者: 侯煜 ; 刘嵩; 张紫辰![](/image/person.jpg)
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| 一种应用于石英基材的碳化硼涂层的制备方法 专利 专利号: CN201310695413.1, 申请日期: 2018-07-13, 公开日期: 2015-06-17 作者: 王文东 ; 夏洋 ; 李楠![](/image/person.jpg)
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| 基于BCl3/Cl2/Ar气体的ICP刻蚀技术对于GaN HEMT器件肖特基性能的改进 会议论文 作者: 陈晓娟; 王鑫华; 魏珂; 郑英奎; 樊捷
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| 基于湿法预释放结构的MEMS红外光源 专利 专利号: CN201621033986.3, 申请日期: 2017-03-15, 作者: 王玮冰 ; 陈大鹏 ; 孙西龙; 刘卫兵 ; 明安杰![](/image/person.jpg)
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| 粗糙度对金属_陶瓷反应润湿体系高温润湿性的影响 期刊论文 材料热处理学报, 2016 作者: 常玲玲
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:8/0  |  提交时间:2017/05/08 |
| 三维半导体器件制造方法 专利 申请日期: 2014-05-16, 作者: 霍宗亮
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:3/0  |  提交时间:2018/04/27 |
| 基于浅沟道隔离技术的化学机械研磨终点检测方法及系统 专利 专利号: CN201110335135.X, 申请日期: 2014-04-02, 公开日期: 2012-03-28 作者: 叶甜春 ; 陈岚 ; 徐勤志 ; 阮文彪
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| 一种碳基半导体器件制备工艺中对衬底进行预处理的方法 专利 专利号: CN103456607A, 申请日期: 2013-12-18, 作者: 史敬元 ; 金智 ; 张大勇 ; 麻芃; 彭松昂![](/image/person.jpg)
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| 一种提高碳基半导体器件迁移率的衬底处理方法 专利 专利号: CN103441223A, 申请日期: 2013-12-11, 作者: 麻芃; 彭松昂 ; 张大勇 ; 金智 ; 史敬元![](/image/person.jpg)
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| 原子层沉积法 生长ZnO的性质与前驱体源量的关系研究 期刊论文 物理学报, 2013 作者: 董亚斌; 夏洋
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:4/0  |  提交时间:2014/10/22 |