| 三维半导体器件制造方法 | |
| 霍宗亮 | |
| 2014-05-16 | |
| 著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种三维半导体器件制造方法，包括步骤：在存储单元区的衬底上形成第一材料层与第二材料层的堆叠结构；刻蚀所述堆叠结构形成多个孔槽；在所述多个孔槽中形成沟道层；对沟道层的至少一个表面进行退火处理，以降低表面粗糙度和界面态。依照本发明的三维半导体器件制造方法，引入伪沟道牺牲层对沟道表面和背表面进行界面处理抑制了界面态形成，和/或在处理过程中引入沟道表面和背表面缓冲层降低了沟道表面的粗糙度，提高了沟道迁移率，在提高沟道电流的同时提高了存储单元的可靠性。 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://159.226.55.106/handle/172511/17947]  |
| 专题 | 微电子研究所_微电子器件与集成技术重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 霍宗亮. 三维半导体器件制造方法. 2014-05-16. |
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