| 基于BCl3/Cl2/Ar气体的ICP刻蚀技术对于GaN HEMT器件肖特基性能的改进 | |
| 陈晓娟; 王鑫华; 魏珂; 郑英奎; 樊捷; 袁婷婷; 刘果果; 黄森 | |
| 2017-08-10 | |
| 英文摘要 | 在本文中，分别研究了基于BCl3/Cl2和BCl3/Cl2/Ar工艺气体的刻蚀程序对GaN/AlGaN材料的ICP刻蚀工艺。刻蚀过的材料表面粗糙度分别为Rq=0.632nm和Rq=0.317nm。将两种刻蚀工艺程序应用到GaN/AlGaN HEMT器件的肖特基栅槽刻蚀工艺中，结果证明，基于BCl3/Cl2/Ar工艺气体的刻蚀程序能够改善器件的肖特基性能 |
| 文献子类 | 会议期刊 |
| 内容类型 | 会议论文 |
| 源URL | [http://159.226.55.106/handle/172511/18246]  |
| 专题 | 微电子研究所_高频高压器件与集成研发中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈晓娟,王鑫华,魏珂,等. 基于BCl3/Cl2/Ar气体的ICP刻蚀技术对于GaN HEMT器件肖特基性能的改进[C]. 见:. |
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