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| 窒化ガリウム系半導体レーザ素子 专利
专利号: JP2008153703A, 申请日期: 2008-07-03, 公开日期: 2008-07-03
作者: 猪口 和彦
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| 化合物半導体素子及びその製造方法 专利
专利号: JP4097299B2, 申请日期: 2008-03-21, 公开日期: 2008-06-11
作者: 猪口 和彦
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| 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びその製造方法 专利
专利号: JP3988961B2, 申请日期: 2007-07-27, 公开日期: 2007-10-10
作者: 幡 俊雄; 猪口 和彦
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| 半導体レーザ装置 专利
专利号: JP3326283B2, 申请日期: 2002-07-05, 公开日期: 2002-09-17
作者: 猪口 和彦; 大林 健
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| 半導体レーザ装置およびその製造方法 专利
专利号: JP3080643B2, 申请日期: 2000-06-23, 公开日期: 2000-08-28
作者: 厚主 文弘; 猪口 和彦; 奥村 敏之; 滝口 治久
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| 窒化物系化合物半導体レーザ素子及びレーザ装置 专利
专利号: JP1999087850A, 申请日期: 1999-03-30, 公开日期: 1999-03-30
作者: 近江 晋; 奥村 敏之; 猪口 和彦
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| 半導体レーザ装置およびその製造方法 专利
专利号: JP2810518B2, 申请日期: 1998-07-31, 公开日期: 1998-10-15
作者: 工藤 裕章; 瀧口 治久; 猪口 和彦; 中西 千登勢; 菅原 聰
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| 半導体レーザ素子 专利
专利号: JP2755357B2, 申请日期: 1998-03-06, 公开日期: 1998-05-20
作者: 種谷 元隆; 工藤 裕章; 菅原 聰; 猪口 和彦; 中西 千登勢
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| 窒化物系半導体レーザ装置及びその製造方法 专利
专利号: JP1997289358A, 申请日期: 1997-11-04, 公开日期: 1997-11-04
作者: 猪口 和彦
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| 半導体発光素子及びその製造方法 专利
专利号: JP1997186403A, 申请日期: 1997-07-15, 公开日期: 1997-07-15
作者: 湯浅 貴之; 猪口 和彦
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