| 窒化物系半導体レーザ装置及びその製造方法 | |
| 猪口 和彦 | |
| 1997-11-04 | |
| 著作权人 | シャープ株式会社 |
| 专利号 | JP1997289358A |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 窒化物系半導体レーザ装置及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 GaAlInN系化合物半導体レーサ素子は、エッチングの面内均一性が悪いため、エッチングのばらつきによる電子注入不良や活性層の品質劣化の問題が有り、屈折率分布をもつ光導波路構造をもつ、高効率、且つ作成歩留まりの高い窒化ガリウム系半導体レーザ素子の作製をすることは困難であった。 【解決手段】 本発明にかかる半導体レーザ素子は、だいお導電型上部クラッド層が共振器方向に伸延したリッジストライプ形状の形成の手段として、選択成長法を用いた場合には、リッジストライプ外側の上部クラッド層の膜厚制御性に優れており、化合物半導体レーザ素子の特性のばらつきが改善される。 |
| 公开日期 | 1997-11-04 |
| 申请日期 | 1997-02-20 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84733]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | シャープ株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 猪口 和彦. 窒化物系半導体レーザ装置及びその製造方法. JP1997289358A. 1997-11-04. |
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