| 窒化ガリウム系半導体レーザ素子 | |
| 猪口 和彦 | |
| 2008-07-03 | |
| 著作权人 | SHARP CORP |
| 专利号 | JP2008153703A |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 窒化ガリウム系半導体レーザ素子 |
| 英文摘要 | 【課題】窒化物系化合物半導体レーザ装置では、良好な屈折率分布をもつ光導波路構造をもつ、高効率、且つ作成歩留まりの高い窒化ガリウム系半導体レーザ素子の作製をすることは困難であった。 【解決手段】本発明では、基板と、下部クラッド層と、活性層と、上部クラッド層とをこの順に有する窒化ガリウム系半導体レーザ素子において、前記上部クラッド層が共振器方向に伸延したリッジストライプ形状であり、p型電極が前記リッジストライプ上面に形成されていることを特徴とする窒化ガリウム系半導体レーザ素子を提供する。 【選択図】図1 |
| 公开日期 | 2008-07-03 |
| 申请日期 | 2008-03-10 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/82017]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SHARP CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 猪口 和彦. 窒化ガリウム系半導体レーザ素子. JP2008153703A. 2008-07-03. |
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