| 半導体発光素子及びその製造方法 | |
| 湯浅 貴之; 猪口 和彦 | |
| 1997-07-15 | |
| 著作权人 | シャープ株式会社 |
| 专利号 | JP1997186403A |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光素子及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 Inを含む化合物半導体膜と、Inを含まない化合物半導体膜とのへテロ構造を有し、ヘテロ接合界面での変質や転位等が少なく、特性の良好な半導体発光素子101を得る。 【解決手段】 半導体積層構造101aを構成する、InGaNからなる第1の化合物半導体層12,14と、AlGaNまたはGaNからなる第2の化合物半導体層13とを、有機ラジカルによるアシストを利用して成長した構造とした。 |
| 公开日期 | 1997-07-15 |
| 申请日期 | 1995-12-27 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/74764]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | シャープ株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 湯浅 貴之,猪口 和彦. 半導体発光素子及びその製造方法. JP1997186403A. 1997-07-15. |
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