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	Band alignment of inn/gaas heterojunction determined by x-ray photoelectron spectroscopy 期刊论文 Applied physics letters, 2008, 卷号: 93, 期号: 12, 页码: 3 作者: Zhang, Riqing; Guo, Yan; Song, Huaping; Liu, Xianglin; Yang, Shaoyan 收藏 \| 浏览/下载：28/0 \| 提交时间：2019/05/12
	Band alignment of InN/GaAs heterojunction determined by x-ray photoelectron spectroscopy 期刊论文 applied physics letters, 2008, 卷号: 93, 期号: 12, 页码: art. no. 122111 Zhang, RQ; Guo, Y; Song, HP; Liu, XL; Yang, SY; Wei, HY; Zhu, QS; Wang, ZG 收藏 \| 浏览/下载：21/0 \| 提交时间：2010/03/08 PHOTOEMISSION SPECTROSCOPY GAP STATES CONTINUUM LINEUPS INN
	Method and apparatus for long wavelength semiconductor lasers 专利专利号: US6621842, 申请日期: 2003-09-16, 公开日期: 2003-09-16 作者: DAPKUS, PAUL DANIEL 收藏 \| 浏览/下载：13/0 \| 提交时间：2019/12/26
	An average-bond-energy method used for band-offset calculation for a strained heterojunction 期刊论文 http://dx.doi.org/10.1088/0953-8984/12/35/311, 2000 Li, S. P.; Wang, R. Z.; Zheng, Y. M.; Cai, S. H.; He, G. M.; 何国敏; 李书平; 蔡淑惠收藏 \| 浏览/下载：11/0 \| 提交时间：2013/12/12 SCHOTTKY-BARRIER HEIGHTS SEMICONDUCTOR HETEROJUNCTIONS DEFORMATION POTENTIALS ELECTRONIC-STRUCTURE PSEUDOPOTENTIALS SUPERLATTICES LINEUPS STATES MODEL
	Average bond energy model for determining valence-band offsets at strained heterointerfaces Si,Ge,InP,GaAs/GexSi1-x 期刊论文 http://dx.doi.org/10.1063/1.362896, 1996 Ke, S. H.; Wang, R. Z.; Huang, M. C.; 黄美纯收藏 \| 浏览/下载：3/0 \| 提交时间：2013/12/12 COMMON-ANION-RULE ELECTRONIC-STRUCTURE SEMICONDUCTOR HETEROJUNCTIONS DEFORMATION POTENTIALS ALLOYS INTERFACES LINEUPS HETEROSTRUCTURES DISCONTINUITIES SUPERLATTICES
	应变层超晶格界面AISb－GaSb，AISb－InSb和GaSb－InSb的价带偏移期刊论文 1995 柯三黄; 黄美纯; 王仁智收藏 \| 浏览/下载：1/0 \| 提交时间：2011/06/22 应变层超晶格价带偏移 Strained-layer superlattice valence-band offset
	AVERAGE BOND-ENERGY AND DEFORMATION POTENTIALS - APPLICATION TO SI-GE HETEROINTERFACES 期刊论文 http://dx.doi.org/10.1016/0921-4526(95)00415-7, 1995 Ke, S. H.; Wang, R. Z.; Huang, M. C.; 黄美纯收藏 \| 浏览/下载：3/0 \| 提交时间：2013/12/12 BRILLOUIN-ZONE INTEGRATIONS VALENCE-BAND OFFSETS SPECIAL POINTS UNIAXIAL STRESS SYSTEM HETEROJUNCTIONS SEMICONDUCTORS INTERFACES SPECTRUM LINEUPS
	VALENCE-BAND LINEUPS AT HIGHLY STRAINED SI-INP, GE-INAS, AND SI-GE INTERFACES 期刊论文 http://dx.doi.org/10.1016/0038-1098(94)00888-4, 1995 Ke, S. H.; Wang, R. Z.; Huang, M. C.; 黄美纯收藏 \| 浏览/下载：3/0 \| 提交时间：2013/12/12 OFFSETS HETEROJUNCTIONS SYSTEM
	VALENCE-BAND OFFSETS AND BAND TAILORING IN COMPOUND STRAINED-LAYER SUPERLATTICES 期刊论文 http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.49.10495, 1994 Ke, S. H.; Wang, R. Z.; Huang, M. C.; 黄美纯收藏 \| 浏览/下载：2/0 \| 提交时间：2013/12/12 SEMICONDUCTOR HETEROJUNCTIONS DEFORMATION POTENTIALS ELECTRONIC-STRUCTURE SPECTROSCOPY INTERFACES LINEUPS INP

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