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	应变层超晶格界面AISb－GaSb，AISb－InSb和GaSb－InSb的价带偏移; Valence-band lineups at strained-layer superlattice interfaces AISb-GaSb,AISb-InSb and GaSb-InSb
	柯三黄 ; 黄美纯 ; 王仁智
	1995-11
关键词	应变层超晶格 价带偏移 Strained-layer superlattice valence-band offset
英文摘要	【中文摘要】 采用平均键能理论结合形变势方法对由ＡＩＳｂ，ＧａＳｂ和ＩｎＳｂ所构成的应变超晶格界面在任意应变状态下的价带偏移值进行了确定，并分析了阳离子浅ｄ轨道对价带偏移值的影响．结果表明，它们的价带偏移值具有显著的应变效应，此一显著的应变效应来源于应变的单轴分量及其与自旋－轨道分裂能量的耦合．这一效应导致了ＡＩＳｂ－ｌｎＳｂ和ＧａＳｂ－ＩｎＳｂ系统中最高价带排列的Ⅰ－Ⅱ型超晶格的转变． 【英文摘要】 A theoretical determination is reported for the valence-band offset atstrained-layer superlattice interfaces AISb-GaSb,AISb-InSb and GaSb-InSb by combining theaverage bond energy theory and deformation potential method.The effect of the sballow d-orbitals in Ga and In atoms on the valence-band offset is discussed.It is shown that the valence-band offsets at these interface systems are remarkably dependent on the strain condition. Thechange of the valence-band offset is mainly due to the effects of the uniax...; 国家和福健省自然科学基金
语种	中文
出版者	《厦门大学学报(自然科学版)》编辑部
内容类型	期刊论文
源URL	[http://dspace.xmu.edu.cn/handle/2288/9702]
专题	物理技术－已发表论文
推荐引用方式 GB/T 7714	柯三黄,黄美纯,王仁智. 应变层超晶格界面AISb－GaSb，AISb－InSb和GaSb－InSb的价带偏移, Valence-band lineups at strained-layer superlattice interfaces AISb-GaSb,AISb-InSb and GaSb-InSb[J],1995.
APA	柯三黄,黄美纯,&王仁智.(1995).应变层超晶格界面AISb－GaSb，AISb－InSb和GaSb－InSb的价带偏移..
MLA	柯三黄,et al."应变层超晶格界面AISb－GaSb，AISb－InSb和GaSb－InSb的价带偏移".(1995).

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