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| 一种总剂量辐照对PMOSFET负偏压温度不稳定性影响的试验方法 专利
申请日期: 2018-05-15,
作者: 崔江维; 郑齐文; 魏莹; 孙静; 余学峰
  收藏 | 浏览/下载：7/0 | 提交时间：2019/08/06 |
| 一种总剂量辐照对PMOSFET负偏压温度不稳定性影响的试验方法 专利
申请日期: 2018-05-15, 公开日期: 2020-10-09
作者: 崔江维; 郑齐文; 魏莹; 孙静; 余学峰
收藏 | 浏览/下载：5/0 | 提交时间：2019/08/06 |
| 沟道宽度对65nm金属氧化物半导体器件负偏压温度不稳定性的影响研究 期刊论文
电子学报, 2018, 卷号: 46, 期号: 5, 页码: 1128-1132
作者: 崔江维; 郑齐文; 余德昭; 周航; 苏丹丹
收藏 | 浏览/下载：33/0 | 提交时间：2018/07/06
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| 纳米PMOSFET负偏压温度不稳定性测试方法 期刊论文
固体电子学研究与进展, 2017, 卷号: 37, 期号: 6, 页码: 433-437
作者: 崔江维; 郑齐文; 余徳昭; 周航; 苏丹丹
收藏 | 浏览/下载：22/0 | 提交时间：2018/01/18
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| 深亚微米PMOSFET的NBTI效应研究 会议论文
第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议, 三亚, 2011
作者: 余学峰
收藏 | 浏览/下载：5/0 | 提交时间：2013/04/09 |
| ECR等离子体的轫致辐射谱和极紫外光研究 学位论文
2008
赵环昱
收藏 | 浏览/下载：14/0 | 提交时间：2010/01/24
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| 用直接隧道栅电流在线表征PMOSFET负偏压温度不稳定性 期刊论文
中国集成电路, 2007
贾高升; 许铭真
收藏 | 浏览/下载：1/0 | 提交时间：2015/11/11
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| MOS结构低温负偏压温度不稳定性 期刊论文
半导体学报, 1994, 期号: 04
陆德仁; 朱德光
收藏 | 浏览/下载：12/0 | 提交时间：2012/03/29 |
| 快速热生长二氧化硅-硅结构负偏压温度不稳定性 期刊论文
半导体学报, 1990, 期号: 06
陆德仁; J.J.WORTMAN
收藏 | 浏览/下载：6/0 | 提交时间：2012/03/29 |
