深亚微米PMOSFET的NBTI效应研究

	深亚微米PMOSFET的NBTI效应研究
	余学峰
	2011
会议名称	第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议
会议日期	2011
会议地点	三亚
中文摘要	对深亚微米的窄沟PMOSFET进行了负偏压温度不稳定性(NBTI)的试验研究。结果表明，NBT应力最终导致了跨导降低、输出特性曲线下降、关态泄漏电流和阈值电压增加。然而，在应力施加的过程中，一些参数发生了恢复。经过分析，认为正电性的界面态主导了参数的变化，也正是界面态的复合造成了参数的恢复。
收录类别	wanfang
会议主办者	中国电子学会
语种	中文
内容类型	会议论文
源URL	[http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/2314]
专题	新疆理化技术研究所_材料物理与化学研究室
推荐引用方式 GB/T 7714	余学峰. 深亚微米PMOSFET的NBTI效应研究[C]. 见:第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议. 三亚. 2011.