MOS结构低温负偏压温度不稳定性

	MOS结构低温负偏压温度不稳定性
	陆德仁 ; 朱德光
刊名	半导体学报
	1994
期号	04
ISSN号	02534177
中文摘要	本文报道了在氧等离子体中暴露过的热生长二氧化硅ＭＯＳ结构，置于－１７０至１００℃的环境中，经受－０．３至－１０ＭＶ／ｃｍ电场作用１ｍｓ至１００ｓ的时效处理后，仍然表现出不稳定性的实验结果．１至１０ｍｓ的时效时间是常规负偏压温度不稳定性试验时间的几百，乃至几十万分之一，用这样短的低温负偏压应力，研究了光照对ＭＯＳ结构负偏压温度不稳定性的影响，实验与预想一致，Ｎ型ＭＯＳ结构应力处理时，若无光照，时效时间短于１０ｍｓ，处理后Ｃ－Ｖ曲线不位移，若有光照，Ｃ－Ｖ曲线向左位移０．１５Ｖ左右．对于Ｐ型ＭＯＳ结构，Ｃ－Ｖ
语种	中文
公开日期	2012-03-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/104119]
专题	上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所）
推荐引用方式 GB/T 7714	陆德仁,朱德光. MOS结构低温负偏压温度不稳定性[J]. 半导体学报,1994(04).
APA	陆德仁,&朱德光.(1994).MOS结构低温负偏压温度不稳定性.半导体学报(04).
MLA	陆德仁,et al."MOS结构低温负偏压温度不稳定性".半导体学报 .04(1994).