纳米PMOSFET负偏压温度不稳定性测试方法

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	纳米PMOSFET负偏压温度不稳定性测试方法
	崔江维 ; 郑齐文 ; 余徳昭 ; 周航 ; 苏丹丹 ; 马腾 ; 郭旗 ; 余学峰
刊名	固体电子学研究与进展
	2017
卷号	37 期号:6 页码:433-437
关键词	纳米器件 P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管负偏压温度不稳定性
ISSN号	1000-3819
英文摘要	P型金属氧化物半导体场效应晶体管(PMOSFET)的负偏压温度不稳定性(NBTI)是制约纳米MOS器件在长寿命电子系统中应用的关键问题之一。为了准确地表征NBTI效应对器件参数的影响,分析了现有测试方法的特点,在此基础上改进了测试试验方法。利用该方法对90nm体硅工艺器件的NBTI效应进行了测试和分析,结果表明该方法能够很好地避免间断应力方法造成的参数快速恢复,获得更加准确的试验数据。
CSCD记录号	CSCD:6139725
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/5103]
专题	新疆理化技术研究所_中国科学院特殊环境功能材料与器件重点试验室新疆理化技术研究所_材料物理与化学研究室
作者单位	1.中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室 2.新疆电子信息材料与器件重点实验室 3.中国科学院新疆理化技术研究所 4.中国科学院大学
推荐引用方式 GB/T 7714	崔江维,郑齐文,余徳昭,等. 纳米PMOSFET负偏压温度不稳定性测试方法[J]. 固体电子学研究与进展,2017,37(6):433-437.
APA	崔江维.,郑齐文.,余徳昭.,周航.,苏丹丹.,...&余学峰.(2017).纳米PMOSFET负偏压温度不稳定性测试方法.固体电子学研究与进展,37(6),433-437.
MLA	崔江维,et al."纳米PMOSFET负偏压温度不稳定性测试方法".固体电子学研究与进展 37.6(2017):433-437.