快速热生长二氧化硅-硅结构负偏压温度不稳定性

	快速热生长二氧化硅-硅结构负偏压温度不稳定性
	陆德仁 ; J.J.WORTMAN
刊名	半导体学报
	1990
期号	06
ISSN号	0253-4177
中文摘要	研究了快速热生长二氧化硅MOS结构的负偏压温度不稳定性。这种MOS结构在未经受过金属化后热处理时有室温负偏压不稳定性,但热处理后,其负偏压温度不稳定性就比电阻炉中热生长二氧化硅MOS结构小。研究了快速热生长后在氩气中快速热处理的时间和温度、热生长后在氧气中的冷却方式、金属化后退火的温度对这种不稳定性的影响。金属化时的辐照不但引进正电荷和界面陷阱,也把负偏压温度不稳定性机构引进了MOS结构。另外还研究了负偏压温度应力后平带电压负向位移的时间演化过程,讨论了负偏压温度不稳定性的机制。
语种	中文
公开日期	2012-03-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/106380]
专题	上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所）
推荐引用方式 GB/T 7714	陆德仁,J.J.WORTMAN. 快速热生长二氧化硅-硅结构负偏压温度不稳定性[J]. 半导体学报,1990(06).
APA	陆德仁,&J.J.WORTMAN.(1990).快速热生长二氧化硅-硅结构负偏压温度不稳定性.半导体学报(06).
MLA	陆德仁,et al."快速热生长二氧化硅-硅结构负偏压温度不稳定性".半导体学报 .06(1990).