用直接隧道栅电流在线表征PMOSFET负偏压温度不稳定性

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	用直接隧道栅电流在线表征PMOSFET负偏压温度不稳定性
	贾高升 ; 许铭真
刊名	中国集成电路
	2007
关键词	超薄栅氧化层负偏压温度不稳定性(NBTI) 退化恢复效应 PMOSFET
DOI	10.3969/j.issn.1681-5289.2007.04.013
英文摘要	本文提出了一种在线表征负偏压温度不稳定性(NBTI,negative bias temperature instability)退化的方法--直接隧道栅电流表征法(DTGCM,DT Gate Current Method).用这种方法可以得到NBTI应力诱生在超薄栅氧化层中的缺陷密度(包括氧化层体陷阱密度和界面态密度),并得到PMOSFET器件阈值电压的漂移(△Vth)信息.这种方法可以有效避免NBTI恢复效应的影响.; 0; 4; 57-59; 16
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.pku.edu.cn/handle/20.500.11897/185623]
专题	信息科学技术学院
推荐引用方式 GB/T 7714	贾高升,许铭真. 用直接隧道栅电流在线表征PMOSFET负偏压温度不稳定性[J]. 中国集成电路,2007.
APA	贾高升,&许铭真.(2007).用直接隧道栅电流在线表征PMOSFET负偏压温度不稳定性.中国集成电路.
MLA	贾高升,et al."用直接隧道栅电流在线表征PMOSFET负偏压温度不稳定性".中国集成电路 (2007).