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铝诱导晶化法制备高质量多晶Si、SiGe材料的研究 学位论文
2014, 2014
孙钦钦
收藏  |  浏览/下载:5/0  |  提交时间:2016/01/12
半导体器件制造方法 专利
申请日期: 2012-08-17,
作者:  殷华湘;  尹海洲;  王桂磊;  秦长亮
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Ge掺杂多晶硅铸锭实验研究 学位论文
: 中国科学院研究生院, 2012
作者:  李帅
收藏  |  浏览/下载:17/0  |  提交时间:2012/09/11
热丝法氢处理多晶硅锗薄膜 期刊论文
半导体学报, 2007, 卷号: 第28卷, 页码: 317-322
作者:  张建军;  胡增鑫;  谷士斌;  赵颖;  耿新华
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锗硅基区禁带变窄量的研究 其他
2001-01-01
金海岩; 高玉芝; 赵宝瑛; 张利春
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门延迟小于100ps的硅基锗硅异质结19级环振电路的研究 其他
2001-01-01
倪学文; 莫邦燹; 宁宝俊; 罗葵; 张录; 关旭东; 韩汝琦
收藏  |  浏览/下载:1/0  |  提交时间:2015/11/11
高性能70nm CMOS器件 期刊论文
半导体学报, 2001, 卷号: 22, 期号: 2, 页码: 6,134-139
作者:  徐秋霞;  钱鹤
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fT为13.5?GHz的平面结构SiGe异质结双极晶体管的研制 期刊论文
北京大学学报 自然科学版, 2001
贾霖; 倪学文; 莫邦燹; 关旭东; 张录; 宁宝俊; 韩汝琦; 李永康; 周均铭
收藏  |  浏览/下载:2/0  |  提交时间:2015/11/13
多晶硅发射极锗硅合金基区HBT理论模型 期刊论文
大连理工大学学报, 1995, 卷号: 35, 页码: 303
作者:  李建军;  魏希文;  王美田;  李正孝;  王效平
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