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| 铝诱导晶化法制备高质量多晶Si、SiGe材料的研究 学位论文 2014, 2014 孙钦钦
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| 半导体器件制造方法 专利 申请日期: 2012-08-17, 作者: 殷华湘; 尹海洲; 王桂磊; 秦长亮
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| Ge掺杂多晶硅铸锭实验研究 学位论文 : 中国科学院研究生院, 2012 作者: 李帅
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| 热丝法氢处理多晶硅锗薄膜 期刊论文 半导体学报, 2007, 卷号: 第28卷, 页码: 317-322 作者: 张建军; 胡增鑫; 谷士斌; 赵颖; 耿新华
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| 锗硅基区禁带变窄量的研究 其他 2001-01-01 金海岩; 高玉芝; 赵宝瑛; 张利春
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| 门延迟小于100ps的硅基锗硅异质结19级环振电路的研究 其他 2001-01-01 倪学文; 莫邦燹; 宁宝俊; 罗葵; 张录; 关旭东; 韩汝琦
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| 高性能70nm CMOS器件 期刊论文 半导体学报, 2001, 卷号: 22, 期号: 2, 页码: 6,134-139 作者: 徐秋霞; 钱鹤
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| fT为13.5?GHz的平面结构SiGe异质结双极晶体管的研制 期刊论文 北京大学学报 自然科学版, 2001 贾霖; 倪学文; 莫邦燹; 关旭东; 张录; 宁宝俊; 韩汝琦; 李永康; 周均铭
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:2/0  |  提交时间:2015/11/13
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| 多晶硅发射极锗硅合金基区HBT理论模型 期刊论文 大连理工大学学报, 1995, 卷号: 35, 页码: 303 作者: 李建军; 魏希文; 王美田; 李正孝; 王效平
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