| 半导体器件制造方法 | |
| 殷华湘; 尹海洲; 王桂磊; 秦长亮 | |
| 2012-08-17 | |
| 著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明 |
| 英文摘要 | 本发明提供了一种具有保护间隙壁的晶体管器件制造方法。本发明中，在形成栅极间隙壁之后，增加了一层保护间隙壁，之后，通过STI结构、栅极间隙壁、保护间隙壁以及栅极上的硬掩模层作为掩模，各向异性地自对准形成了源漏区域凹槽，由于保护间隙壁的存在，栅极间隙壁的侧面在源漏区域凹槽刻蚀工艺中不会受到损伤，从而避免栅极线条顶端两侧暴露出来被刻蚀，以及随之而导致的外延过程中多晶硅栅极生长锗硅的情况。 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://159.226.55.106/handle/172511/17923]  |
| 专题 | 微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 殷华湘,尹海洲,王桂磊,等. 半导体器件制造方法. 2012-08-17. |
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