fT为13.5?GHz的平面结构SiGe异质结双极晶体管的研制

doi:10.3321/j.issn:0479-8023.2001.03.011

CORC > 北京大学 > 信息科学技术学院

	fT为13.5?GHz的平面结构SiGe异质结双极晶体管的研制; 13.5 GHz fT SiGe Heterojunction Bipolar TransistorFabricated by Planar Technology
	贾霖 ; 倪学文 ; 莫邦燹 ; 关旭东 ; 张录 ; 宁宝俊 ; 韩汝琦 ; 李永康 ; 周均铭
刊名	北京大学学报自然科学版
	2001
关键词	多晶硅发射极技术分子束外延SiGe基区锗硅异质结双极晶体管
DOI	10.3321/j.issn:0479-8023.2001.03.011
英文摘要	利用多晶硅发射极技术与分子束外延生长SiGe基区技术相结合，研制成适于集成的平面结构、发射结面积为3?μm×8?μm的SiGe异质结双极晶体管(HBT)。室温下该晶体管的直流电流增益β为30到50，基极开路下，收集极-发射极反向击穿电压BVCEO为5?V，晶体管的截止频率fT为13.5?GHz。; A planar SiGe heterojunction bipolar transistor was fabricated using polysilicon emitter technology and SiGe base grown by Molecular Beam Epitaxy (MBE).The SiGe HBT (Se=3μm×8μm) has a current gain β of 30 to 50,an emitter-collector breakdown voltage BVCEO of 5V,the maximum cutoff frequency fT of 13.5GHz at room temperature.; 国家科技攻关项目; 中文核心期刊要目总览(PKU); 中国科学引文数据库(CSCD); 0; 3; 353-358; 37
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.pku.edu.cn/handle/20.500.11897/295636]
专题	信息科学技术学院
推荐引用方式 GB/T 7714	贾霖,倪学文,莫邦燹,等. fT为13.5?GHz的平面结构SiGe异质结双极晶体管的研制, 13.5 GHz fT SiGe Heterojunction Bipolar TransistorFabricated by Planar Technology[J]. 北京大学学报自然科学版,2001.
APA	贾霖.,倪学文.,莫邦燹.,关旭东.,张录.,...&周均铭.(2001).fT为13.5?GHz的平面结构SiGe异质结双极晶体管的研制.北京大学学报自然科学版.
MLA	贾霖,et al."fT为13.5?GHz的平面结构SiGe异质结双极晶体管的研制".北京大学学报自然科学版 (2001).