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门延迟小于100ps的硅基锗硅异质结19级环振电路的研究
倪学文 ; 莫邦燹 ; 宁宝俊 ; 罗葵 ; 张录 ; 关旭东 ; 韩汝琦
2001
关键词锗硅异质结双极晶体管 环振电路 工艺流程
英文摘要本文介绍了一种硅基锗硅异质结晶体管的结构.报导了与硅基单层多晶硅发射极工艺兼容的硅基锗异质结19级环振电路的研制、简要工艺流程、锗硅基区结构、硅基锗硅异质结晶体管的性能,19级环振电路的设计及测试结果.; 0
语种中文
内容类型其他
源URL[http://ir.pku.edu.cn/handle/20.500.11897/186135]  
专题信息科学技术学院
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GB/T 7714
倪学文,莫邦燹,宁宝俊,等. 门延迟小于100ps的硅基锗硅异质结19级环振电路的研究. 2001-01-01.
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