| 多晶硅发射极锗硅合金基区HBT理论模型 | |
| 李建军; 魏希文; 王美田; 李正孝; 王效平 | |
| 刊名 | 大连理工大学学报
 |
| 1995 | |
| 卷号 | 35页码:303 |
| 关键词 | 异质结 晶体管 理论模型 多晶硅 |
| ISSN号 | 1000-8608 |
| URL标识 | 查看原文 |
| 内容类型 | 期刊论文 |
| URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/6528068 |
| 专题 | 大连理工大学 |
| 作者单位 | 1.大连理工大学物理系, 大连, 辽宁 中国 2.电子工业部第47所, 沈阳, 辽宁 中国 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李建军,魏希文,王美田,等. 多晶硅发射极锗硅合金基区HBT理论模型[J]. 大连理工大学学报,1995,35:303. |
| APA | 李建军,魏希文,王美田,李正孝,&王效平.(1995).多晶硅发射极锗硅合金基区HBT理论模型.大连理工大学学报,35,303. |
| MLA | 李建军,et al."多晶硅发射极锗硅合金基区HBT理论模型".大连理工大学学报 35(1995):303. |
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