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| 基于隧穿二极管的集约三值全加器设计 期刊论文
微纳电子技术, 2016, 期号: 6
作者: 纪堉超; 常胜; 王豪; 何进; 黄启俊
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| 共振隧穿现象与LED失效模型的分析方法 期刊论文
北京大学学报 自然科学版, 2011
袁晨; 严伟
收藏 | 浏览/下载：1/0 | 提交时间：2015/11/12
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| 基于RTD与EHEMT的超高速全并行模数转换器 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-02-10, 2010-08-12, 2010-10-15
戴 扬; 杜 睿; 杨富华
收藏 | 浏览/下载：31/0 | 提交时间：2010/08/12 |
| 室温下Si/Si_(1-x)Ge_x共振隧穿二极管的数值模拟 期刊论文
2010, 2010
李涛; 余志平; 王燕; 黄雷; 向采兰; Li Tao; Yu Zhiping; Wang Yan; Huang Lei; Xiang Cailan
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| 空穴型Si/SiGe共振隧穿二极管及其直流参数提取 期刊论文
2010, 2010
熊晨荣; 王燕; 陈培毅; 余志平; XIONG Chenrong; WANG Yan; CHEN Peiyi; YU Zhiping
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| 基于量子点的单光子探测机理研究 学位论文
: 中国科学院研究生院, 2010
作者: 王旺平
收藏 | 浏览/下载：23/0 | 提交时间：2012/09/11
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| InP基RTD特性的数值模拟研究 期刊论文
固体电子学研究与进展, 2010, 期号: 03
王伟; 孙浩; 孙晓玮; 徐安怀; 齐鸣
收藏 | 浏览/下载：16/0 | 提交时间：2012/01/06
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| 电子束直写技术及其应用 学位论文
: 中国科学院研究生院, 2008
作者: 孙艳
收藏 | 浏览/下载：10/0 | 提交时间：2012/07/11
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| 基于共振隧穿二极管的应力检测方法 期刊论文
半导体学报, 2008
熊继军; 毛海央; 张文栋; 薛晨阳
收藏 | 浏览/下载：1/0 | 提交时间：2015/11/11
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| 高性能InGaAs/AlAs共振隧穿二极管的研制与器件模拟分析 期刊论文
半导体学报, 2007, 卷号: 28, 期号: 4, 页码: 563-566
作者: 张杨
收藏 | 浏览/下载：129/25 | 提交时间：2010/11/23 |
