基于共振隧穿二极管的应力检测方法

doi:10.3321/j.issn:0253-4177.2008.02.025

CORC > 北京大学 > 信息科学技术学院

	基于共振隧穿二极管的应力检测方法; Resonant Tunneling Diode Based Stress Measurement
	熊继军 ; 毛海央 ; 张文栋 ; 薛晨阳
刊名	半导体学报
	2008
关键词	共振隧穿二极管应力检测振荡频率 I-V特性压阻灵敏度
DOI	10.3321/j.issn:0253-4177.2008.02.025
英文摘要	共振隧穿二极管(RTD)具有微分负阻效应,且其共振隧穿的I-V特性随着廊力的变化而变化,这就是RTD的压阻效应.与半导体材料压阻效应的应用类似,RTD也可用于应力检测.文中研究了两种基于RTD的应力检测方法.在讨论频率-应力检测法的基础上提出了一种新颖的应力检测方法--惠斯通RTD电桥检测法.测试结果表明,基于惠斯通RTD电桥检测法得到的压阻灵敏度随偏置电压可调,町调范围达到三个数量级.; 国家自然科学基金; 霍英东教育基金; 教育部跨世纪优秀人才培养计划; 中文核心期刊要目总览(PKU); 中国科技核心期刊(ISTIC); 中国科学引文数据库(CSCD); 0; 2; 324-328; 29
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.pku.edu.cn/handle/20.500.11897/207691]
专题	信息科学技术学院
推荐引用方式 GB/T 7714	熊继军,毛海央,张文栋,等. 基于共振隧穿二极管的应力检测方法, Resonant Tunneling Diode Based Stress Measurement[J]. 半导体学报,2008.
APA	熊继军,毛海央,张文栋,&薛晨阳.(2008).基于共振隧穿二极管的应力检测方法.半导体学报.
MLA	熊继军,et al."基于共振隧穿二极管的应力检测方法".半导体学报 (2008).