共振隧穿现象与LED失效模型的分析方法

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	共振隧穿现象与LED失效模型的分析方法; LED Failure Analysis with Phenomenon of Resonant Tunneling Model
	袁晨 ; 严伟
刊名	北京大学学报自然科学版
	2011
关键词	LED 静电失效分析 LED electrostatic failure analysis
英文摘要	针对实验中发现的受静电损伤LED与共振隧穿二极管（RTD）模型有相似表现的现象，提出一种LED失效分析方法。经过500～3000V的HBM模型损伤，一部分失效LED的1-V曲线表现出类似共振隧穿二极管（RTD），正向电流呈现隧道电流的特征，证实静电损伤路径穿越了LED内量子阱，改变了内部的结构。将这种曲线与RTD做对比，并推广至其他失效曲线的分析，建立了一套通过伏安特性曲线对比方法，分析LED受损位置。这种失效模型分析方式可以不借助微观实验，直接进行判断，并可通过经验不断丰富。; 上海市科学技术委员会项目; 国家自然科学基金; 中文核心期刊要目总览(PKU); 中国科技核心期刊(ISTIC); 中国科学引文数据库(CSCD); 0; 6; 1151-1154; 47
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.pku.edu.cn/handle/20.500.11897/229145]
专题	软件与微电子学院
推荐引用方式 GB/T 7714	袁晨,严伟. 共振隧穿现象与LED失效模型的分析方法, LED Failure Analysis with Phenomenon of Resonant Tunneling Model[J]. 北京大学学报自然科学版,2011.
APA	袁晨,&严伟.(2011).共振隧穿现象与LED失效模型的分析方法.北京大学学报自然科学版.
MLA	袁晨,et al."共振隧穿现象与LED失效模型的分析方法".北京大学学报自然科学版 (2011).