InP基RTD特性的数值模拟研究

	InP基RTD特性的数值模拟研究
	王伟 ; 孙浩 ; 孙晓玮 ; 徐安怀 ; 齐鸣
刊名	固体电子学研究与进展
	2010
期号	03
关键词	柔性微电极导电聚合物表面修饰生物相容性
ISSN号	1000-3819
中文摘要	采用基于非平衡格林函数法(Non-equilibrium Green’s function,NEGF)量子输运模拟器WinGreen对InP基共振隧穿二极管(RTD)的输运特性进行了计算模拟,分析了Ga0.47In0.53As/AlAs以及富In组份势阱双势垒结构几何参数、散射参数、发射区和集电区掺杂浓度以及隔离层厚度对InP基RTD器件I-V特性的影响。模拟结果表明,采用富In组份的势阱有利于降低峰值电压,提高发射区掺杂浓度有利于增大峰值电流密度,而散射则会导致谷值电流增大,影响其负阻特性。
语种	中文
公开日期	2012-01-06
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/52351]
专题	上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	王伟,孙浩,孙晓玮,等. InP基RTD特性的数值模拟研究[J]. 固体电子学研究与进展,2010(03).
APA	王伟,孙浩,孙晓玮,徐安怀,&齐鸣.(2010).InP基RTD特性的数值模拟研究.固体电子学研究与进展(03).
MLA	王伟,et al."InP基RTD特性的数值模拟研究".固体电子学研究与进展 .03(2010).