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| 后栅工艺中假栅的制造方法 专利
专利号: CN201110433706.3, 申请日期: 2017-03-08, 公开日期: 2013-06-26
作者: 卢一泓 ; 杨涛; 赵超; 李俊峰; 赵玉印
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| 一种SiC肖特基二极管及其制作方法 专利
专利号: CN201310580966.2, 申请日期: 2016-08-17, 公开日期: 2014-02-12
作者: 汤益丹; 刘新宇; 许恒宇; 蒋浩杰; 赵玉印
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| 一种精确控制碳化硅高温离子注入掩模陡直性的方法 专利
专利号: CN201310570937.8, 申请日期: 2016-04-20, 公开日期: 2014-02-05
作者: 白云; 刘新宇; 汤益丹; 许恒宇; 蒋浩杰
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| 一种宽禁带功率器件场板的制造方法 专利
专利号: CN201310567092.7, 申请日期: 2016-03-16, 公开日期: 2014-02-26
作者: 杨谦; 刘新宇; 许恒宇; 汤益丹; 蒋浩杰
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| 带有选择性截止层的碳化硅高温离子注入掩模的制造方法 专利
专利号: CN201310559750.8, 申请日期: 2016-03-16, 公开日期: 2014-02-12
作者: 白云; 刘新宇; 许恒宇; 汤益丹; 蒋浩杰
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| Planar Bulk MOSFETs With Self-Aligned Pocket Well to Improve Short-Channel Effects and Enhance Device Performance 期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2015
作者: Zhao YY(赵玉印); He XB(贺晓彬); Gao JF(高建峰); Xu Q(徐强); Li JJ(李俊杰)
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| 一种纳米线宽多晶硅栅刻蚀掩膜图形的形成方法 专利
专利号: CN200410047532.7, 申请日期: 2007-10-10, 公开日期: 2005-11-23
作者: 钱鹤; 徐秋霞; 刘明; 赵玉印
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| 磁存储器驱动电路界面平坦化研究 期刊论文
半导体学报, 2006, 卷号: 27, 期号: 增刊, 页码: 358-360
作者: 杜寰; 赵玉印; 韩郑生; 夏洋; 张志纯
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| 高性能栅长27纳米CMOS器件及关键工艺技术研究 成果
2005
主要完成人: 李俊峰; 周小茵; 高文方; 刘明; 陈宝钦
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| 一种用以改善硅衬底螺旋电感性能的局域介质增厚新技术 期刊论文
半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 5, 页码: 5，857-861
作者: 杨荣; 李俊峰; 赵玉印; 柴淑敏; 韩郑生
收藏 | 浏览/下载：10/0 | 提交时间：2010/05/26
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