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| 半导体器件及其制造方法 专利
专利号: CN201410398357.X, 申请日期: 2018-12-11, 公开日期: 2016-03-30
作者: 王桂磊 ; 崔虎山; 殷华湘; 李俊峰; 朱慧珑
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| 半导体器件及其制造方法 专利
专利号: CN201410484648.0, 申请日期: 2018-09-18, 公开日期: 2016-04-13
作者: 殷华湘; 张永奎; 赵治国; 陆智勇; 朱慧珑
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| Process variation dependence of total ionizing dose effects in bulk nFinFETs 期刊论文
Microelectronics Reliability, 2018
作者: Zheng ZS(郑中山); Huang YB(黄云波); Li B(李博); Luo JJ(罗家俊); Han ZS(韩郑生)
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| Impact of ALD TiN Capping Layer on Interface 期刊论文
IEEE Electron Device Letter, 2018
作者: Zhao C(赵超); Ye TC(叶甜春); Yang H(杨红); Tang B(唐波); Xu H(徐昊)
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| 半导体器件制造方法 专利
专利号: CN201210490480.5, 申请日期: 2018-07-31, 公开日期: 2014-06-04
作者: 殷华湘; 朱慧珑
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| 半导体器件制造方法 专利
专利号: CN201410454224.X, 申请日期: 2018-07-31, 公开日期: 2016-04-06
作者: 殷华湘; 秦长亮; 马小龙; 王桂磊; 朱慧珑
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| 级联堆叠纳米线MOS晶体管制作方法 专利
专利号: CN201310274977.8, 申请日期: 2018-07-27, 公开日期: 2015-01-14
作者: 徐唯佳; 殷华湘; 马小龙; 徐秋霞; 朱慧珑
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| 鳍式场效应晶体管及其制造方法 专利
专利号: CN201410525045.0, 申请日期: 2018-07-13, 公开日期: 2016-05-11
作者: 殷华湘; 秦长亮; 马小龙; 王桂磊; 朱慧珑
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| 鳍式场效应晶体管及其假栅的制造方法 专利
专利号: CN201410392773.9, 申请日期: 2018-07-10, 公开日期: 2016-02-17
作者: 洪培真; 殷华湘; 朱慧珑; 刘青; 李俊峰
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| 半导体设置及其制造方法 专利
专利号: CN201310674438.3, 申请日期: 2018-07-06, 公开日期: 2015-06-17
作者: 朱慧珑; 赵治国; 张永奎; 马小龙; 许淼
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