半导体设置及其制造方法

	半导体设置及其制造方法
	朱慧珑; 赵治国; 张永奎; 马小龙; 许淼; 殷华湘; 杨红
	2018-07-06
著作权人	中国科学院微电子研究所
专利号	CN201310674438.3
国家	中国
文献子类	发明专利
英文摘要	本申请公开了一种半导体设置及其制造方法。一示例半导体设置可以包括：衬底；以及在衬底上形成的第一单元半导体器件和第二单元半导体器件。第一单元半导体器件可以包括第一栅堆叠，第二单元半导体器件可以包括第二栅堆叠。第一栅堆叠可以包括第一功函数调节层，第二栅堆叠可以包括第二功函数调节层。第一栅堆叠的栅长可以小于第二栅堆叠的栅长，且第一功函数调节层的厚度可以小于第二功函数调节层的厚度。
公开日期	2015-06-17
申请日期	2013-12-11
语种	中文
内容类型	专利
源URL	[http://159.226.55.107/handle/172511/18804]
专题	微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	朱慧珑,赵治国,张永奎,等. 半导体设置及其制造方法. CN201310674438.3. 2018-07-06.