半导体器件制造方法

	半导体器件制造方法
	殷华湘; 秦长亮; 马小龙; 王桂磊; 朱慧珑
	2018-07-31
著作权人	中国科学院微电子研究所
专利号	CN201410454224.X
国家	中国
文献子类	发明专利
英文摘要	一种半导体器件制造方法，包括：在衬底上形成沿第一方向延伸的多个鳍片；在鳍片上形成沿第二方向延伸的假栅极堆叠结构；在假栅极堆叠结构沿第一方向的两侧形成栅极侧墙；在栅极侧墙沿第一方向的两侧、鳍片顶部外延生长抬升源漏区；以栅极侧墙为掩模，执行轻掺杂离子注入，穿过抬升源漏区、在栅极侧墙沿第一方向的两侧鳍片中形成源漏延伸区；去除假栅极堆叠结构，形成栅极沟槽；在栅极沟槽中形成栅极堆叠结构。依照本发明的半导体器件制造方法，在外延生长抬升源漏区之后再注入形成LDD/SDE结构，并且调整了注入工艺，提高了器件的稳定性，减缓了器件的短沟道效应。
公开日期	2016-04-06
申请日期	2014-09-06
语种	中文
内容类型	专利
源URL	[http://159.226.55.107/handle/172511/18821]
专题	微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	殷华湘,秦长亮,马小龙,等. 半导体器件制造方法. CN201410454224.X. 2018-07-31.