级联堆叠纳米线MOS晶体管制作方法

	级联堆叠纳米线MOS晶体管制作方法
	徐唯佳; 殷华湘; 马小龙; 徐秋霞; 朱慧珑
	2018-07-27
著作权人	中国科学院微电子研究所
专利号	CN201310274977.8
国家	中国
文献子类	发明专利
英文摘要	本发明公开了一种堆叠纳米线MOS晶体管及其制作方法，包括：多个纳米线堆叠，在衬底上沿第一方向延伸；多个栅极堆叠，沿第二方向延伸并且跨越了每个纳米线堆叠；多个源漏区，位于每个栅极堆叠沿第二方向两侧；多个沟道区，由位于多个源漏区之间的纳米线堆叠构成；其中多个纳米线堆叠为级联的多个纳米线构成的堆叠。依照本发明的堆叠纳米线MOS晶体管及其制作方法，通过多次回刻、侧向刻蚀沟槽并填充，形成了质量良好的级联的纳米线堆叠，以较低的成本充分增大导电沟道有效宽度，并且提高了有效导电总截面面积，从而提高驱动电流。
公开日期	2015-01-14
申请日期	2013-07-02
语种	中文
内容类型	专利
源URL	[http://159.226.55.107/handle/172511/18814]
专题	微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	徐唯佳,殷华湘,马小龙,等. 级联堆叠纳米线MOS晶体管制作方法. CN201310274977.8. 2018-07-27.