鳍式场效应晶体管及其假栅的制造方法

	鳍式场效应晶体管及其假栅的制造方法
	洪培真; 殷华湘; 朱慧珑; 刘青; 李俊峰; 赵超; 尹海洲
	2018-07-10
著作权人	中国科学院微电子研究所
专利号	CN201410392773.9
国家	中国
文献子类	发明专利
英文摘要	本发明公开了一种鳍式场效应晶体管的假栅的制造方法，包括：提供衬底，所述衬底上形成有鳍及隔离层；覆盖鳍及隔离层以形成掩盖层；沿与鳍垂直的方向进行掩盖层的刻蚀，直至暴露隔离层，以形成开口；进行填充，以在开口中形成假栅；去除掩盖层。本发明通过刻蚀形成用于形成假栅的开口，这样会形成倒梯形的开口，进而使得假栅具有倒梯形的形状，即假栅的上部宽、下部窄，这会利于后续工艺中替代栅极尤其是金属栅极的填充，同时不会损伤鳍以及衬底，具有良好的器件性能。
公开日期	2016-02-17
申请日期	2014-08-11
语种	中文
内容类型	专利
源URL	[http://159.226.55.107/handle/172511/18805]
专题	微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	洪培真,殷华湘,朱慧珑,等. 鳍式场效应晶体管及其假栅的制造方法. CN201410392773.9. 2018-07-10.