半导体器件制造方法

	半导体器件制造方法
	殷华湘; 朱慧珑
	2018-07-31
著作权人	中国科学院微电子研究所
专利号	CN201210490480.5
国家	中国
文献子类	发明专利
英文摘要	本发明公开了一种半导体器件制造方法，包括：在衬底上形成沿第一方向延伸的多个鳍片；在鳍片上形成沿第二方向延伸的假栅极绝缘层和假栅极层，其中假栅极层在鳍片上方具有突起；在假栅极层上形成盖层；选择性刻蚀，去除假栅极层的突起；去除盖层。依照本发明的半导体器件制造方法，沉积假栅极层之后增添了盖层，通过选择性刻蚀来平坦化假栅极层，有效提高了假栅极的平坦性以及栅极线条的均匀性和重复性，最终有效提高了器件的性能和可靠性。
公开日期	2014-06-04
申请日期	2012-11-25
语种	中文
内容类型	专利
源URL	[http://159.226.55.107/handle/172511/18818]
专题	微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	殷华湘,朱慧珑. 半导体器件制造方法. CN201210490480.5. 2018-07-31.