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| 半导体器件及其制造方法 专利 专利号: CN201410398357.X, 申请日期: 2018-12-11, 公开日期: 2016-03-30 作者: 王桂磊 ; 崔虎山; 殷华湘 ; 李俊峰 ; 朱慧珑![](/image/person.jpg)
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| 半导体器件及其制造方法 专利 专利号: CN201410484648.0, 申请日期: 2018-09-18, 公开日期: 2016-04-13 作者: 殷华湘 ; 张永奎 ; 赵治国 ; 陆智勇 ; 朱慧珑![](/image/person.jpg)
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| 半导体器件制造方法 专利 专利号: CN201210490480.5, 申请日期: 2018-07-31, 公开日期: 2014-06-04 作者: 殷华湘 ; 朱慧珑![](/image/person.jpg)
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| 半导体器件制造方法 专利 专利号: CN201410454224.X, 申请日期: 2018-07-31, 公开日期: 2016-04-06 作者: 殷华湘 ; 秦长亮; 马小龙; 王桂磊 ; 朱慧珑![](/image/person.jpg)
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| 级联堆叠纳米线MOS晶体管制作方法 专利 专利号: CN201310274977.8, 申请日期: 2018-07-27, 公开日期: 2015-01-14 作者: 徐唯佳; 殷华湘 ; 马小龙; 徐秋霞; 朱慧珑![](/image/person.jpg)
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| 鳍式场效应晶体管及其制造方法 专利 专利号: CN201410525045.0, 申请日期: 2018-07-13, 公开日期: 2016-05-11 作者: 殷华湘 ; 秦长亮; 马小龙; 王桂磊 ; 朱慧珑![](/image/person.jpg)
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| 鳍式场效应晶体管及其假栅的制造方法 专利 专利号: CN201410392773.9, 申请日期: 2018-07-10, 公开日期: 2016-02-17 作者: 洪培真 ; 殷华湘 ; 朱慧珑 ; 刘青 ; 李俊峰![](/image/person.jpg)
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| 半导体设置及其制造方法 专利 专利号: CN201310674438.3, 申请日期: 2018-07-06, 公开日期: 2015-06-17 作者: 朱慧珑 ; 赵治国 ; 张永奎 ; 马小龙; 许淼
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| 半导体器件及其制造方法 专利 专利号: CN201310142184.0, 申请日期: 2018-06-22, 公开日期: 2014-10-22 作者: 赵志国; 殷华湘 ; 朱慧珑![](/image/person.jpg)
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| 半导体器件及其制造方法 专利 专利号: CN201310151287.3, 申请日期: 2018-06-22, 公开日期: 2014-10-29 作者: 殷华湘 ; 钟汇才 ; 朱慧珑![](/image/person.jpg)
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