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科研机构
上海微系统与信息技... [16]
内容类型
期刊论文 [16]
发表日期
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2004 [3]
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学科主题
Physics, ... [16]
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学科主题:Physics, Multidisciplinary
内容类型:期刊论文
专题:上海微系统与信息技术研究所
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High Speed and Ultra-Low-Power Phase Change Line Cell Memory Based on SiSb Thin Films with Nanoscale Gap of Electrodes Less Than 100 nm
期刊论文
CHINESE PHYSICS LETTERS, 2008, 卷号: 25, 期号: 11, 页码: 4174-4176
Lv, SL
;
Song, ZT
;
Zhang, T
;
Feng, SL
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2012/03/24
RANDOM-ACCESS MEMORY
DEVICE
RESIST
Effect of chemicals on chemical mechanical polishing of glass substrates
期刊论文
CHINESE PHYSICS LETTERS, 2007, 卷号: 24, 期号: 1, 页码: 259-261
Wang, LY
;
Zhang, KL
;
Song, ZT
;
Feng, SL
收藏
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2012/03/24
ABRASIVES
SURFACE
Ge1Sb2Te4 based chalcogenide random access memory array fabricated by 0.18-mu m CMOS technology
期刊论文
CHINESE PHYSICS LETTERS, 2007, 卷号: 24, 期号: 3, 页码: 790-792
Zhang, T
;
Song, ZT
;
Feng, GM
;
Liu, B
;
Wu, LC
;
Feng, SL
;
Chen, B
收藏
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2012/03/24
THIN-FILMS
PHASE
CRYSTALLIZATION
ALLOYS
DEVICE
Remarkable resistance change in plasma oxidized TiOx/TiNx film for memory application
期刊论文
CHINESE PHYSICS LETTERS, 2007, 卷号: 24, 期号: 4, 页码: 1103-1105
Wu, LC
;
Song, ZT
;
Liu, B
;
Rao, F
;
Xu, C
;
Zhang, T
;
Yin, WJ
;
Feng, SL
收藏
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浏览/下载:6/0
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提交时间:2012/03/24
RANDOM-ACCESS MEMORY
THIN OXIDE-FILMS
GE2SB2TE5 FILMS
ELECTRICAL-PROPERTIES
NEGATIVE RESISTANCE
NIO FILMS
Si1Sb2Te3 phase change material for chalcogenide random access memory
期刊论文
CHINESE PHYSICS, 2007, 卷号: 16, 期号: 8, 页码: 2475-2478
Zhang, T
;
Song, ZT
;
Liu, B
;
Liu, WL
;
Feng, SL
;
Chen, B
收藏
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2012/03/24
OVONIC UNIFIED MEMORY
AMORPHOUS THIN-FILMS
OPTICAL DISK
RESISTANCE MEASUREMENTS
ELECTRICAL-PROPERTIES
GE2SB2TE5 FILM
TE GLASSES
CRYSTALLIZATION
IMPLANTATION
BEHAVIOR
Damascene array structure of phase change memory fabricated with chemical mechanical polishing method
期刊论文
CHINESE PHYSICS LETTERS, 2006, 卷号: 23, 期号: 8, 页码: 2296-2298
Liu, QB
;
Song, ZT
;
Zhang, KL
;
Wang, LY
;
Feng, SL
;
Chen, BM
收藏
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2012/03/24
ION-BEAM METHOD
CELL-ELEMENT
Phase transition phenomena in ultra-thin Ge2Sb2Te5 film
期刊论文
CHINESE PHYSICS LETTERS, 2005, 卷号: 22, 期号: 7, 页码: 1803-1805
Zhang, T
;
Liu, B
;
Song, ZT
;
Liu, WL
;
Feng, SL
;
Chen, B
收藏
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2012/03/24
OVONIC UNIFIED MEMORY
CRYSTALLIZATION
Fabrication and characterization of ZnO-based film bulk acoustic resonator with a high working frequency
期刊论文
CHINESE PHYSICS LETTERS, 2005, 卷号: 22, 期号: 3, 页码: 694-696
Zhang, T
;
Wang, Y
;
Liu, WL
;
Cheng, JG
;
Song, ZT
;
Feng, SL
;
Chan-Wong, LWH
;
Choy, CL
收藏
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2012/03/24
DEVICES
WAVE
Novel material for nonvolatile ovonic unified memory (OUM)-Ag11In12Te26Sb51 phase change semiconductor
期刊论文
CHINESE PHYSICS, 2004, 卷号: 13, 期号: 7, 页码: 1167-1170
Liu, B
;
Song, ZT
;
Zhang, T
;
Feng, SL
;
Gan, FX
收藏
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2012/03/24
AMORPHOUS THIN-FILMS
OPTICAL DISK
TELLURIDE GLASSES
HIGH-DENSITY
CRYSTALLIZATION
TRANSITION
GE20TE80-XBIX
AG
Raman spectra and XPS studies of phase changes in Ge2Sb2Te5 films
期刊论文
CHINESE PHYSICS, 2004, 卷号: 13, 期号: 11, 页码: 1947-1950
Liu, B
;
Song, ZT
;
Zhang, T
;
Feng, SL
;
Chen, BM
收藏
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2012/03/24
TRANSMISSION ELECTRON-MICROSCOPY
CRYSTALLIZATION BEHAVIOR
THIN-FILMS
MEMORY
SPECTROSCOPY
TRANSITIONS
MEDIA
SB
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