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科研机构
半导体研究所 [11]
内容类型
期刊论文 [11]
发表日期
2007 [1]
2004 [2]
2003 [4]
2001 [1]
1999 [2]
1992 [1]
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学科主题
半导体物理 [11]
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学科主题:半导体物理
内容类型:期刊论文
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Exciton spin splitting in ultrathin InAs layers
期刊论文
applied physics letters, 2007, 卷号: 90, 期号: 7, 页码: art.no.071907
Sun, Z (Sun, Zheng)
;
Xu, ZY (Xu, Z. Y.)
;
Ji, Y (Ji, Yang)
;
Sun, BQ (Sun, B. Q.)
;
Wang, BR (Wang, B. R.)
;
Huang, SS (Huang, S. S.)
;
Ni, HQ (Ni, H. Q.)
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浏览/下载:28/0
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提交时间:2010/03/29
GAAS QUANTUM-WELLS
Photoluminescence study of InGaN/GaN quantum dots grown on passivated GaN surface
期刊论文
journal of crystal growth, 2004, 卷号: 260, 期号: 1-2, 页码: 13-17
Huang JS
;
Chen Z
;
Luo XD
;
Xu ZY
;
Ge WK
收藏
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浏览/下载:137/15
  |  
提交时间:2010/03/09
atomic force microscopy
Abnormal energy dependence of photoluminescence decay time in InGaN epilayer
期刊论文
chinese physics letters, 2004, 卷号: 21, 期号: 12, 页码: 2529-2532
Huang, JS
;
Luo, XD
;
Yang, XD
;
Sun, Z
;
Sun, BQ
;
Xu, ZY
;
Ge, WK
收藏
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浏览/下载:42/0
  |  
提交时间:2010/03/17
MULTIPLE-QUANTUM WELLS
A study of the growth and optical properties of AlInGaN alloys
期刊论文
acta physica sinica, 2003, 卷号: 52, 期号: 10, 页码: 2632-2637
Huang JS
;
Dong X
;
Lu XL
;
Xu ZY
;
Ge WK
收藏
  |  
浏览/下载:266/14
  |  
提交时间:2010/08/12
AlInGaN
MOCVD
localized exitons
quantum dots
TIME-RESOLVED PHOTOLUMINESCENCE
MULTIPLE-QUANTUM WELLS
LUMINESCENCE
RELAXATION
SILICON
GAN
Alloy states in dilute GaAs1-xNx alloys (x < 1%)
期刊论文
applied physics letters, 2003, 卷号: 82, 期号: 11, 页码: 1697-1699
Luo XD
;
Huang JS
;
Xu ZY
;
Yang CL
;
Liu J
;
Ge WK
;
Zhang Y
;
Mascarenhas A
;
Xin HP
;
Tu CW
收藏
  |  
浏览/下载:45/0
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提交时间:2010/08/12
BAND-GAP REDUCTION
GAASN
EXCITONS
Time-resolved photoluminescence studies of AlInGaN alloys
期刊论文
chinese physics letters, 2003, 卷号: 20, 期号: 7, 页码: 1148-1150
作者:
Li DB
收藏
  |  
浏览/下载:33/0
  |  
提交时间:2010/08/12
INXALYGA1-X-YN QUATERNARY ALLOYS
LUMINESCENCE
Localized exciton dynamics in AlInGaN alloy
期刊论文
solid state communications, 2003, 卷号: 126, 期号: 8, 页码: 473-477
Huang JS
;
Dong X
;
Luo XD
;
Liu XL
;
Xu ZY
;
Ge WK
收藏
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浏览/下载:43/0
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提交时间:2010/08/12
AlInGaN
quantum dots
hopping
stretched-exponential decay
MULTIPLE-QUANTUM WELLS
LIGHT-EMITTING-DIODES
TIME-RESOLVED PHOTOLUMINESCENCE
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
THERMAL-ACTIVATION
LUMINESCENCE
TRANSITIONS
RELAXATION
SILICON
LAYERS
Annealing-induced evolution of defects in low-temperature-grown GaAs-related materials
期刊论文
physical review b, 2001, 卷号: 63, 期号: 11, 页码: art.no.115324
Zhang MH
;
Guo LW
;
Li HW
;
Li W
;
Huang Q
;
Bao CL
;
Zhou JM
;
Liu BL
;
Xu ZY
;
Zhang YH
;
Lu LW
收藏
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浏览/下载:97/7
  |  
提交时间:2010/08/12
BEAM-EPITAXIAL GAAS
SPATIAL LIGHT MODULATORS
MULTIPLE-QUANTUM WELLS
Ultrafast low-temperature grown AlGaAs/GaAs photorefractive quantum wells using point defects as capture centers
期刊论文
applied physics letters, 1999, 卷号: 75, 期号: 10, 页码: 1366-1368
Zhang MH
;
Huang Q
;
Zhang YF
;
Zhou JM
;
Li Q
;
Xu ZY
收藏
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浏览/下载:51/0
  |  
提交时间:2010/08/12
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
GAAS
LAYERS
DEPENDENCE
LIFETIME
Influence of (001) vicinal GaAs substrates on the optical properties of defects in low-temperature grown GaAs/AlGaAs multiple quantum wells
期刊论文
applied physics letters, 1999, 卷号: 75, 期号: 4, 页码: 504-506
Zhang MH
;
Li Q
;
Zhang YF
;
Huang Q
;
Zhou JM
;
Xu ZY
收藏
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浏览/下载:41/0
  |  
提交时间:2010/08/12
SPATIAL LIGHT MODULATORS
MOLECULAR-BEAM-EPITAXY
DYNAMICS
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