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科研机构
大连理工大学 [6]
内容类型
期刊论文 [6]
发表日期
2013 [6]
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发表日期:2013
专题:大连理工大学
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Band gap broadening and photoluminescence properties investigation in Ga2O3 polycrystal
期刊论文
JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS, 2013, 卷号: 24, 页码: 2750-2754
作者:
Cheng, Yi
;
Liang, Hongwei
;
Shen, Rensheng
;
Xia, Xiaochuan
;
Wang, Bo
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2019/12/11
Improved quality of GaN epilayer grown on porous SiC substrate by in situ H-2 pre-treatment
期刊论文
JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS, 2013, 卷号: 24, 页码: 3299-3302
作者:
Song, Shiwei
;
Shen, Rensheng
;
Liang, Hongwei
;
Liu, Yang
;
Xia, Xiaochuan
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浏览/下载:1/0
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提交时间:2019/12/11
Influence of N-2 and O-2 annealing treatment on the optical bandgap of polycrystalline Ga2O3:Cu films
期刊论文
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, 2013, 卷号: 16, 页码: 1303-1307
作者:
Cheng, Yi
;
Liang, Hongwei
;
Liu, Yang
;
Xia, Xiaochuan
;
Shen, Rensheng
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2019/12/11
Cu-doped Ga2O3 thin film
X-ray diffraction
Optical bandgap
Amorphous phase
Surface morphology
Improvement of the quality of GaN epilayer by combining a SiNx interlayer and changed GaN growth mode
期刊论文
JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS, 2013, 卷号: 24, 页码: 2716-2720
作者:
Yang, Dechao
;
Liang, Hongwei
;
Qiu, Yu
;
Song, Shiwei
;
Liu, Yang
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2019/12/11
Improvement of quality and strain relaxation of GaN epilayer grown on SiC substrate by in situ SiNx interlayer
期刊论文
JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS, 2013, 卷号: 24, 页码: 2923-2927
作者:
Song, Shiwei
;
Liu, Yang
;
Liang, Hongwei
;
Yang, Dechao
;
Zhang, Kexiong
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2019/12/11
Stress State of GaN Epilayer Grown on Sapphire and 6H-SiC Substrates
期刊论文
JOURNAL OF TESTING AND EVALUATION, 2013, 卷号: 41, 页码: 798-803
作者:
Zhang, Kexiong
;
Liang, Hongwei
;
Song, Shiwei
;
Yang, Dechao
;
Shen, Rensheng
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浏览/下载:1/0
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提交时间:2019/12/11
GaN
metalorganic chemical vapor deposition
stress state
dislocations
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