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浏览/检索结果: 共9条，第1-9条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Vi/ii ratio-dependent growth and photoluminescence of cubic cdse epilayers by molecular beam epitaxy 期刊论文 Journal of crystal growth, 2011, 卷号: 329, 期号: 1, 页码: 1-5 作者:  Zhao, Jie;  Zeng, Yiping;  Yang, Qiumin;  Li, Yiyang;  Cui, Lijie 收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2019/05/12 Reflection high-energy electron diffraction  X-ray diffraction  Atomic force microscopy  Molecular beam epitaxy  Cadmium compounds  Semiconducting ii-vi materials   Growth and annealing of zinc-blende cdse thin films on gaas (001) by molecular beam epitaxy 期刊论文 Applied surface science, 2011, 卷号: 257, 期号: 21, 页码: 9038-9043 作者:  Yang, Qiumin;  Zhao, Jie;  Guan, Min;  Liu, Chao;  Cui, Lijie 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2019/05/12 Cdse  Molecular beam epitaxy  Reflection high energy electron diffraction  X-ray diffraction  Atomic force microscopy   Structural characterization of epitaxial lateral overgrown gan on patterned gan/gaas(001) substrates 期刊论文 Journal of crystal growth, 2002, 卷号: 246, 期号: 1-2, 页码: 69-72 作者:  Shen, XM;  Fu, Y;  Feng, G;  Zhang, BS;  Feng, ZH 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2019/05/12 Transmission electron microscopy  X-ray diffraction  Epitaxial lateral overgrowth  Metalorganic vapor phase epitaxy  Cubic gallium nitride   Structural characterization of epitaxial lateral overgrown GaN on patterned GaN/GaAs(001) substrates 期刊论文 journal of crystal growth, 2002, 卷号: 246, 期号: 1-2, 页码: 69-72 Shen XM; Fu Y; Feng G; Zhang BS; Feng ZH; Wang YT; Yang H 收藏  |  浏览/下载：49/0  |  提交时间：2010/08/12 transmission electron microscopy  X-ray diffraction  epitaxial lateral overgrowth  metalorganic vapor phase epitaxy  cubic gallium nitride  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  CUBIC GAN  PHASE EPITAXY  REDUCTION  GROWTH   Structural characterization of cubic gan grown on gaas(001) substrates 期刊论文 Chinese journal of electronics, 2001, 卷号: 10, 期号: 2, 页码: 219-222 作者:  Zheng, XH;  Qu, B;  Wang, YT;  Yang, H;  Liang, JW 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2019/05/12 Cubic gan  X-ray double crystal diffraction  Structural characteristics   Structural characterization of cubic GaN grown on GaAs(001) substrates 期刊论文 chinese journal of electronics, 2001, 卷号: 10, 期号: 2, 页码: 219-222 Zheng XH; Qu B; Wang YT; Yang H; Liang JW; Han JY 收藏  |  浏览/下载：93/4  |  提交时间：2010/08/12 cubic GaN  X-ray double crystal diffraction  structural characteristics  CONTINUOUS-WAVE OPERATION  EPITAXIAL-GROWTH  HEXAGONAL GAN  LASER-DIODES  THIN-FILMS  MBE   Effect of si doping on cubic gan films grown on gaas(100) 期刊论文 Journal of crystal growth, 1999, 卷号: 206, 期号: 1-2, 页码: 150-154 作者:  Xu, DP;  Yang, H;  Li, JB;  Li, SF;  Wang, YT 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/05/12 Gan  Cubic  Hexagonal  Photoluminescence  Xrd   Effect of Si doping on cubic GaN films grown on GaAs(100) 期刊论文 journal of crystal growth, 1999, 卷号: 206, 期号: 1-2, 页码: 150-154 作者:  Zhao DG 收藏  |  浏览/下载：46/0  |  提交时间：2010/08/12 GaN  cubic  hexagonal  photoluminescence  XRD  DOPED GAN  SILICON  SEMICONDUCTORS  SAPPHIRE  LIGHT-EMITTING DIODES   INVESTIGATION OF C-60 SINGLE-CRYSTAL BY X-RAY-METHODS 期刊论文 chinese physics letters, 1995, 卷号: 12, 期号: 4, 页码: 217-220 LI CR; MAI ZH; WANG G; WANG YT; WU LS; CUI SF; XIE SS; JIANG JH 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2010/11/17 CONDUCTIVITY