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| 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 专利
专利号: CN201410643283.1, 申请日期: 2017-06-20, 公开日期: 2015-03-11
作者: 汤益丹 ; 白云; 申华军; 霍瑞彬; 刘新宇
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| 一种SiC金属氧化物半导体晶体管及其制作方法 专利
申请日期: 2014-01-01,
作者: 霍瑞彬; 白云; 申华军
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| 一种制作结晶态高K栅介质材料的方法 专利
申请日期: 2011-11-28, 公开日期: 2012-11-20
作者: 常虎东
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| 高K介质/InGaAs界面工程在金属氧化物半导体场效应晶体管中的应用 会议论文
西安
作者: 刘洪刚
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| 一种互补型金属氧化物半导体场效应晶体管的制备方法 专利
申请日期: 2011-08-03,
作者: 徐秋霞; 李永亮; 许高博
收藏 | 浏览/下载：8/0 | 提交时间：2016/09/18 |
| 锗衬底上制备金属-氧化物-半导体场效应晶体管方法 专利
申请日期: 2011-04-12,
作者: 胡爱斌; 许高博; 徐秋霞
收藏 | 浏览/下载：11/0 | 提交时间：2016/09/18 |
| 一种制备体硅围栅金属半导体场效应晶体管的方法 专利
申请日期: 2009-12-24,
作者: 宋毅; 周华杰; 徐秋霞
收藏 | 浏览/下载：11/0 | 提交时间：2016/09/30 |
| 一种钽铝氮金属栅的制备方法 专利
申请日期: 2009-02-09, 公开日期: 2016-03-18
作者: 徐秋霞; 许高博
收藏 | 浏览/下载：2/0 | 提交时间：2016/03/18 |
| 应变硅PMOSFET中应变的LACBED研究 期刊论文
电子显微学报, 2007, 卷号: 26, 期号: 4, 页码: 10,312_321
作者: 徐秋霞; 段晓峰; 刘海华; 刘邦贵
收藏 | 浏览/下载：11/0 | 提交时间：2010/05/26
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| 一种源体欧姆接触绝缘体上硅晶体管的制作方法 专利
专利号: CN101162696, 申请日期: 2006-10-13, 公开日期: 2008-04-16, 2010-11-26
作者: 毕津顺; 海潮和
收藏 | 浏览/下载：8/0 | 提交时间：2010/11/26 |
