一种制备体硅围栅金属半导体场效应晶体管的方法 | |
宋毅; 周华杰; 徐秋霞 | |
2009-12-24 | |
著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
国家 | 中国 |
文献子类 | 发明 |
英文摘要 | 一种基于准平面工艺制备体硅围栅纳米线MOSFETs的方法:局部氧化隔离或浅槽隔离,在体硅上垫积缓冲SiO2氧化层/SiN介质层,电子束曝光,刻蚀两个距离较近的凹槽,垫积SiN侧墙,各向同性刻蚀Si,干氧氧化,湿法刻蚀去除SiN,应力自限制氧化形成纳米线,垫积并各向异性刻蚀氧化物介质层,并平坦化表面,湿法刻蚀释放纳米线的同时保留底部足够厚SiO2作隔离,长栅介质和垫积栅材料,反刻栅并以栅介质为阻挡层各向同性刻蚀栅材料,源/漏浅注入,垫积和刻蚀侧墙,源/漏深注入,形成接触。本发明消除了自加热效应和浮体效应,并且易于集成,有利于抑制短沟道效应,推动MOSFETs尺寸往小尺寸方向发展。 |
状态 | 公开 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://159.226.55.106/handle/172511/15905] ![]() |
专题 | 微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 宋毅,周华杰,徐秋霞. 一种制备体硅围栅金属半导体场效应晶体管的方法. 2009-12-24. |
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