| 一种互补型金属氧化物半导体场效应晶体管的制备方法 | |
| 徐秋霞; 李永亮; 许高博 | |
| 2011-08-03 | |
| 著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明 |
| 英文摘要 | 一种互补型金属氧化物半导体场效应晶体管的制备方法，在完成常规介质隔离后，在硅衬底上形成界面SiO2-1，接着形成第一种高K栅介质/金属栅叠层，并生长硬掩膜-1，光刻和刻蚀形成硬掩膜图形-1，腐蚀未被图形-1覆盖的第一种金属栅和高K栅介质。然后形成界面SiO2-2和第二种高K栅介质/金属栅叠层，并生长硬掩膜-2，光刻和刻蚀形成硬掩膜图形-2，腐蚀未被图形-2覆盖的第二种金属栅和高K栅介质，露出第一金属栅上的硬掩膜-1。腐蚀去净硬掩膜-1和硬掩膜-2，淀积多晶硅和硬掩膜-3后进行栅图形光刻和刻蚀，形成叠层栅结构，淀积介质膜并刻蚀形成侧墙-1。然后按常规工艺形成源漏及其延伸区，硅化后完成接触和金属化。 |
| 状态 | 公开 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://159.226.55.106/handle/172511/15679]  |
| 专题 | 微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 徐秋霞,李永亮,许高博. 一种互补型金属氧化物半导体场效应晶体管的制备方法. 2011-08-03. |
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