一种互补型金属氧化物半导体场效应晶体管的制备方法 | |
徐秋霞; 李永亮; 许高博 | |
2011-08-03 | |
著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
国家 | 中国 |
文献子类 | 发明 |
英文摘要 | 一种互补型金属氧化物半导体场效应晶体管的制备方法,在完成常规介质隔离后,在硅衬底上形成界面SiO2-1,接着形成第一种高K栅介质/金属栅叠层,并生长硬掩膜-1,光刻和刻蚀形成硬掩膜图形-1,腐蚀未被图形-1覆盖的第一种金属栅和高K栅介质。然后形成界面SiO2-2和第二种高K栅介质/金属栅叠层,并生长硬掩膜-2,光刻和刻蚀形成硬掩膜图形-2,腐蚀未被图形-2覆盖的第二种金属栅和高K栅介质,露出第一金属栅上的硬掩膜-1。腐蚀去净硬掩膜-1和硬掩膜-2,淀积多晶硅和硬掩膜-3后进行栅图形光刻和刻蚀,形成叠层栅结构,淀积介质膜并刻蚀形成侧墙-1。然后按常规工艺形成源漏及其延伸区,硅化后完成接触和金属化。 |
状态 | 公开 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://159.226.55.106/handle/172511/15679] ![]() |
专题 | 微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 徐秋霞,李永亮,许高博. 一种互补型金属氧化物半导体场效应晶体管的制备方法. 2011-08-03. |
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