| 一种制作结晶态高K栅介质材料的方法 | |
| 常虎东; 薛百清; 孙兵; 王盛凯; 卢力; 刘洪刚; 王虹 | |
| 2011-11-28 | |
| 著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明 |
| 英文摘要 | 本专利提供了一种在Ge衬底材料上形成结晶态的K栅介质的方法，并且将此栅介质应用于Ge基MOS场效应晶体管上，以解决Ge基MOS场效应晶体管的界面态的问题，本发明还涉及到用上述的技术制作的结晶态栅介质用于金属氧化物半导体场效应晶体管。 |
| 公开日期 | 2012-11-20 |
| 状态 | 公开 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/9911]  |
| 专题 | 微电子研究所_高频高压器件与集成研发中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 常虎东,薛百清,孙兵,等. 一种制作结晶态高K栅介质材料的方法. 2011-11-28. |
| 个性服务 |
| 查看访问统计 |
| 相关权益政策 |
| 暂无数据 |
| 收藏/分享 |
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论